SSM6N15FE(TE85L,F)参数:MOSFET N-CH DUAL 30V 0.1A ES6
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图: ES6Top ES6Side标准包装:4,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):100mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):4欧姆@10mA,4V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):7.8pF@3V功率-最大值:150mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:ES6(1.6x1.6)