SSM6N36FE,LM(T参数：MOSFET DUAL N-CH 20V .5A ES6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： SmallSignalMOSFET产品目录绘图： ES6Top ES6Side标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：500mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：630毫欧@200mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.23nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss)：46pF@10V功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）