SSM6N37CTD(TPL3)参数：MOSFET DUAL N-CH 20V .25A CST6D
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： SmallSignalMOSFET产品目录绘图： CST6DBottom CST6DSide标准包装：1系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：250mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.2欧姆@100mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：12pF@10V功率-最大值：140mW安装类型：表面贴装封装：6-SMD，扁平引线供应商器件封装：CST6D
