SSM6N48FU,RF参数:MOSFET N CH 30V 100MA 2-2J1C
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.2 欧姆 @ 10mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15.1pF @ 3V功率 - 最大值:300mW安装类型:表面贴装封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:US6