SSP45N20B_FP001参数:MOSFET N-CH 200V 35A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:50系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):35A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 17.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):173nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4300pF @ 25V功率 - 最大值:176W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220