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SST27SF512

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SST27SF512-70-4C-PGE 优势库存
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689
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765
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2023+
249
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SST27SF512-70-3C-PGE
SST
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2023+
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SST27SF512-70-3C-NH
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2023+
39
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SST27SF512
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2023+
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1378
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SST27SF512-70-4C-PGE
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2023+
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品质保证,价格优惠
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SST27SF512-70-3C-PGE
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PDIP28
2023+
5000
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2023+
100
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SST27SF512-70-3C-PG
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778
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SST27SF512-90-3C-NH
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PLCC-32
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SST27SF512-70-4C-NH
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2023+
2278
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SST27SF512-70-3C-PGE.
SST
DIP
2023+
21278
工厂配单，价格优势
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SST27SF512-70-3C-PG
SST
库房现货原装进口
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5600
SST27SF512-70-3C-NHE
SST
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： SST26VF032A-80-5I-S2AE SST26VF032A-80-5I-QAE SST26VF032-80-5I-S2AE-T SST26VF032-80-5I-S2AE SST26VF032-80-5I-QAE SST26VF016-80-5I-S2AE-T

SST2222AT116
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SST2222AT116参数：TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT-23

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品目录绘图： SOT-23PackageTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电流-集电极(Ic)（最大值）：600mA
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：1V@50mA，500mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@150mA，10V
功率-最大值：350mW
频率-跃迁：300MHz
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SST3

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