SSU1N60BTU_WS参数:MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:70系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):600V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):900mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12 欧姆 @ 450mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):215pF @ 25V功率 - 最大值:2.5W安装类型:通孔封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装:I-Pak