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STB1132

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STB1132Y 优势库存
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相关型号： STB10NK60ZT4 STB10NK60Z-1 STB100NH02LT4 STB100NF04T4 STB100NF03L-03T4 STB100NF03L-03-1

STB11N52K3
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STB11N52K3参数：MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB11N52K3ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：SuperMESH3™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：525V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：510毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：51nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@50V
功率-最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D²PAK

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