STB150N3LH6参数：MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB150N3LH6ViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3800pF@25V功率-最大值：110W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263（D2Pak）
