STB18NM80参数：MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB18NM80ViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：MDmesh™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：800V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：295毫欧@8.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：70nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2070pF@50V功率-最大值：190W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
