STB20N65M5参数：MOSF N CH 650V 18A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB20N65M5ViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：Mdmesh™V包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：190毫欧@9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1434pF@100V功率-最大值：130W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D²PAK
