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STB4NC60

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STB4NC60T4 优势库存
ST
TO-263(D2PAK)
2023+
5430
全新原厂原装现货
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STB4NC60 优势库存
ST
TO-263(D2PAK)
2023+
5436
原装现货，价格优势
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STB4NC60A-1
ST
TO202-3
2023+
1048
全新原装现货,特价
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STB4NC60T4
ST
TO-263
2023+
2165
全新进口原装现货,保证质量
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STB4NC60
ST
TO-263
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
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STB4NC60-1
ST
I2PAK
2023+
16278
全新进口原装现货,保证质量
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STB4NC60
ST
TO-263
2023+
10000
品质保证,价格优惠
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STB4NC60A-1
ST
TO202-3
2023+
500
品质保证,价格优惠
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STB4NC60A
ST
TO263
2023+
6278
工厂配单，价格优势
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相关型号： STB4N62K3 STB45NF06T4 STB45NF06 STB45N65M5 STB42N65M5 STB40NS15T4

STB4N62K3
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STB4N62K3参数：MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB4N62K3ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：SuperMESH3™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：620V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.95欧姆@1.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：450pF@50V
功率-最大值：70W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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