STB80NF55-06-1参数：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB80NF55-06-1ViewAllSpecifications标准包装：50系列：STripFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：189nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4400pF@25V功率-最大值：300W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK