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STD15N06L

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相关型号： STD155N3LH6 STD155N3H6 STD150NH02LT4 STD150NH02L-1 STD150N3LLH6 STD150N2LH5

STD15N65M5
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STD15N65M5参数：MOSFET N CH 650V 11A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD15N65M5ViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：Mdmesh™V
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：340毫欧@5.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：816pF@100V
功率-最大值：85W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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