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STD16NE06

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STD16NE06T4 优势库存
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2023+
14895
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8352
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STD16NE06L
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12437
全新进口原装现货,特价热卖
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STD16NE06L-1
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2023+
8128
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STD16NE06T4
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2023+
2120
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2023+
30000
品质保证,价格优惠
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STD16NE06LT4
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2023+
25000
品质保证,价格优惠
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300
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STD16NE06T4
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2023+
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STD16NE06LT4
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TO-252
2023+
12437
全新进口原装现货,特价热卖
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STD16NE06LT
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6278
工厂配单，价格优势
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STD16NE06-TR
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STD16NE06LT4
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TO-252
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17500
保证原装正品现货实单价可谈
STD16NE06LT4
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252
2023+
6000
原装现货
相关型号： STD16N65M5 STD16 STD15W-Z STD15W-Y STD15W-X STD15W-W

STD16N65M5
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STD16N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 12A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD16N65M5ViewAllSpecifications
产品培训模块： 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology
标准包装：2,500
系列：MDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：299毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1250pF@100V
功率-最大值：90W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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