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STD16NE10

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STD16NE10 优势库存
ST
SOT-252
2023+
6040
全新进口原装现货，即时发货
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STD16NE10L 优势库存
ST
TO-252(DPAK)
2023+
8810
原装现货，价格优势
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STD16NE10LT4
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TO-252
2023+
12437
全新进口原装现货,特价热卖
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STD16NE10
ST
TO-252
2023+
12437
全新进口原装现货,特价热卖
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STD16NE10L
ST
TO-252
2023+
12437
全新进口原装现货,特价热卖
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STD16NE10LT4
ST
TO-252
2023+
30000
品质保证,价格优惠
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STD16NE10
ST
TO-252
2023+
30000
品质保证,价格优惠
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STD16NE10L
ST
TO252DPAK
2023+
22500
品质保证,价格优惠
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STD16NE10T4
ST
TO-252
2023+
2778
全新进口原装现货,保证质量
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STD16NE10-TR
ST
TO-252
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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STD16NE10-T4
ST
TO-252
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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电话：0755-83217923
联系人：销售部
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STD16NE10LT4-TR
ST
TO-252
2023+
17557
工厂配单，价格优势
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STD16NE10LT4
ST
252
2023+
6000
原装现货
相关型号： STD16N65M5 STD16 STD15W-Z STD15W-Y STD15W-X STD15W-W

STD16N65M5
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STD16N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 12A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD16N65M5ViewAllSpecifications
产品培训模块： 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology
标准包装：2,500
系列：MDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：299毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1250pF@100V
功率-最大值：90W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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