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STD20NE03

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STD20NE03LT4 优势库存
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SOT-252
2023+
5850
全新原厂原装现货
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STD20NE03 优势库存
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2023+
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原装现货质量保证
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STD20NE03LT4
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全新进口原装现货,特价热卖
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STD20NE03
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2023+
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原装现货价格优势
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STD20NE03L
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TO-252
2023+
12557
全新进口原装现货,特价热卖
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STD20NE03LT4K
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2023+
7557
全新进口原装现货,特价热卖
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STD20NE03LT4
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SOT-252
2023+
2500
品质保证,价格优惠
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STD20NE03L
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TO-252
2023+
30000
品质保证,价格优惠
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STD20NE03-1
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TO-251
2023+
2853
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STD20NE03LT
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TO-263
2023+
2297
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STD20NE03L-1
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2023+
25578
全新进口原装现货,保证质量
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STD20NE03L1
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TO-251
2023+
26278
全新进口原装现货,保证质量
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STD20NE03L-TR
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TO-252
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39357
工厂配单，价格优势
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STD20NE03L-T4
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TO-252
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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STD20NE03L
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252
2023+
6000
原装现货
相关型号： STD20N20T4 STD20 STD2 STD1NK80ZT4 STD1NK80Z-1 STD1NK60T4

STD20N20T4
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STD20N20T4参数：MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：STripFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：940pF @ 25V
功率 - 最大值：90W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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