STD2NK60Z-1参数：MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STD2NK60Z-1ViewAllSpecifications标准包装：75系列：SuperMESH™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8欧姆@700mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：170pF@25V功率-最大值：45W安装类型：通孔封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：I-Pak
STSOT2522023+8852全新进口原装现货，即时发货
