STD4N52K3参数：MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STD4N52K3ViewAllSpecifications标准包装：2,500系列：SuperMESH3™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：525V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.6欧姆@1.25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：334pF@100V功率-最大值：45W安装类型：通孔封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：I-Pak
