STD50NH02L-1参数:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:STripFET™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):24V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 25V功率 - 最大值:60W安装类型:通孔封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB供应商器件封装:I-Pak