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STD6NF10

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STD6NF10T4 优势库存
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TO-252(DPAK)
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STD6NF10 优势库存
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TO-252(DPAK)
2023+
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STD6NF10T4
STMicroelectro..
DPAK
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STD6NF10T4
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全新进口原装现货,特价热卖
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STD6NF10L
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TO-252
2023+
41278
全新进口原装现货,保证质量
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STD6NF10
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TO-252
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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STD6NF10T4
STMicroelectro..
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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STD6NF10
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TO-252
2023+
30000
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STD6NF10T4
STMicroelectro..
TO-252-3,DPa..
2023+
8350
全新进口原装现货品质保证
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STD6NF10-1
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26278
全新进口原装现货,保证质量
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STD6NF10-TR
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工厂配单，价格优势
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STD6NF10-T4
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TO-252
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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STD6NF10T4
ST
TO-252-2
2023+
1882
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STD6NF10T4
ST MICRO
2023+
5,000
全新原装，香港现货
相关型号： STD6N95K5 STD6N62K3 STD6N52K3 STD65NF06 STD65N55LF3 STD65N55F3

STD6NF10T4
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STD6NF10T4参数：MOSFET N-CH 100V 6A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD6NF10ViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：280pF@25V
功率-最大值：30W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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