STD7NM80参数:MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STD7NM80ViewAllSpecifications标准包装:2,500系列:MDmesh™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):800V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.05欧姆@3.25A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):18nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):620pF@25V功率-最大值:90W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:D-Pak