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STD9NM60N

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TO-252(DPAK)

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DPAK

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相关型号： STD9NM50N-1 STD9NM50N STD9NM40N STD96N3LLH6 STD95NH02LT4 STD95N4LF3

STD9NM60N
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STD9NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD9NM60NViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：MDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：745毫欧@3.25A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17.4nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：452pF@50V
功率-最大值：70W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

STD9NM60N

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