STF19NM65N参数：MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STF19NM65NViewAllSpecifications标准包装：50系列：MDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：15.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：270毫欧@7.75A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1900pF@50V功率-最大值：35W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220FP
