STG3P2M10N60B参数：IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
类别：半导体模块-IGBT标准包装：15系列：SEMITOP®IGBT类型：-配置：三相反相器电压-集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.5V@15V，7A电流-集电极(Ic)（最大值）：19A电流-集电极截止（最大值）：10µA不同?Vce时的输入电容(Cies)：0.72nF@25V功率-最大值：56W输入：单相桥式整流器NTC热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：SEMITOP?2供应商器件封装：SEMITOP?2配用：497-8401-ND-KITIGBTPWRMODULESEMITOP2497-5512-ND-BOARDEVALBASEDONSEMITOP2
