STGB12NB60KDT4参数:IGBT N-CHAN 30A 600V D2PAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1,000系列:PowerMESH™包装:带卷 (TR)IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,12A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30ACurrent - Collector Pulsed (Icm):60A功率 - 最大值:125WSwitching Energy:410µJ输入类型:标准Gate Charge:54nCTd (on/off) A 25°C:25ns/96nsTest Condition:480V, 12A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):37ns封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK