STGD5NB120SZ-1参数：IGBT N-CH 1200V 5A DPAK
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路其它有关文件： STGD5NB120SZViewAllSpecifications标准包装：75系列：PowerMESH™包装：管件IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2V@15V，5A电流-集电极(Ic)（最大值）：10ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：10A功率-最大值：75WSwitchingEnergy：11.59mJ输入类型：逻辑GateCharge：-Td(on/off)A25°C：690ns/12.1µsTestCondition：960V,5A,1千欧,15V反向恢复时间(trr)：-封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63安装类型：表面贴装供应商器件封装：D-Pak
