STGP10NB60SD参数:IGBT N-CHAN 600V 20A TO-220
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路其它有关文件: STGP10NB60SDViewAllSpecifications标准包装:50系列:PowerMESH™包装:管件IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):1.7V@15V,10A电流-集电极(Ic)(最大值):20ACurrent-CollectorPulsed(Icm):80A功率-最大值:31.5WSwitchingEnergy:5.6mJ输入类型:标准GateCharge:33nCTd(on/off)A25°C:700ns/1.2µsTestCondition:480V,10A,1千欧,15V反向恢复时间(trr):37ns封装:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB