STGW60H65DF参数:IGBT 650V 120A TO-247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路其它有关文件: STGW60H65DFViewAllSpecifications标准包装:30系列:-包装:管件IGBT类型:沟道和场截止电压-集射极击穿(最大值):650V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):1.9V@15V,60A电流-集电极(Ic)(最大值):120ACurrent-CollectorPulsed(Icm):240A功率-最大值:360WSwitchingEnergy:2.6mJ输入类型:标准GateCharge:206nCTd(on/off)A25°C:67ns/165nsTestCondition:400V,60A,10欧姆,15V反向恢复时间(trr):62ns封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247