STH15NB50FI参数：MOSFET N-CH500V 10.5A ISOWATT218
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：30系列：PowerMESH™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 7.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3400pF @ 25V功率 - 最大值：80W安装类型：通孔封装：ISOWATT-218-3供应商器件封装：ISOWATT-218
