STI14NM50N参数：MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STI14NM50NViewAllSpecifications标准包装：50系列：Mdmesh™II包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：320毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：816pF@50V功率-最大值：90W安装类型：通孔封装：TO-262-3（直引线）供应商器件封装：I2PAK
