STI300N4F6参数：MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STI300N4F6ViewAllSpecifications标准包装：50系列：STripFET™VI,DeepGATE™包装：*FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：160A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.2毫欧@80A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：240nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：13800pF@25V功率-最大值：300W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*
