STI42N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STI42N65M5ViewAllSpecifications产品培训模块： 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology标准包装：50系列：MDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：33A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：79毫欧@16.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4650pF@100V功率-最大值：190W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK
