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STI5518MVB

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STI5518MVB 优势库存
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2023+
253
原装现货，价格优势
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STI5518MVB-X 优势库存
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2023+
375
原装现货，价格优势
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STI5518MVB-X
OMEGA/ST
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2023+
2596
全新进口原装现货,特价热卖
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STI5518MVB-ES
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全新进口原装现货,特价热卖
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STI5518MVB/MVC
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全新进口原装现货,保证质量
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STI5518MVB
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2023+
668
全新进口原装现货,特价热卖
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STI5518MVB-X
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2023+
18
品质保证,价格优惠
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STI5518MVB
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2023+
120
品质保证,价格优惠
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STI5518MVB-XC6R
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2023+
1348
工厂配单，价格优势
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STI5518MVB-X
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全新原装现货
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STI5518MVB-X
BT
优势库存，原装现货
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06+
￥600深圳
STI5518MVB-X
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2536
现货库存
STI5518MVB
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2023+
460
全新原装现货库存
相关型号： STI4N62K3 STI42N65M5 STI35N65M5 STI34N65M5 STI32N65M5 STI30NM60N

STI55NF03L
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STI55NF03L参数：MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STI55NF03LViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：STripFET™II
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：55A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13毫欧@27.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1265pF@25V
功率-最大值：80W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK

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