STI57N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STI57N65M5ViewAllSpecifications标准包装：50系列：Mdmesh™V包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：42A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：63毫欧@21A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：98nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4200pF@100V功率-最大值：250W安装类型：通孔封装：TO-262-3（直引线）供应商器件封装：I2PAK
