STL26NM60N参数:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STL26NM60NViewAllSpecifications特色产品: ST-PowerFLAT?8x8HV标准包装:3,000系列:MDmesh™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):19A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):185毫欧@10A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):60nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1800pF@50V功率-最大值:125mW安装类型:表面贴装封装:5-PowerFlat?HV供应商器件封装:5-PowerFlat?HV(8x8)