STL20NM20N参数：MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：MDmesh™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 25V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（6x5）
