STL45N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：Mdmesh™ V包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：22.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：86 毫欧 @ 14.5A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：82nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3470pF @ 100V功率 - 最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：*供应商器件封装：PowerFLAT?（8x8）
