STL60N32N3LL参数：MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件： STL60N32N3LLViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：2N沟道（双）非对称型FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A，60A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.2mOhm@6.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：950pF@25V功率-最大值：23W，50W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）