STL65DN3LLH5参数：MOSFET N-CH POWERFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件： STL65DN3LLH5ViewAllSpecifications特色产品： STripFET?SeriesVPowerMOSFETs标准包装：3,000系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：65A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@9.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF@25V功率-最大值：60W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）
