STL66DN3LLH5参数:MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT56
类别:分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件: STL66DN3LLH5ViewAllSpecifications标准包装:3,000系列:STripFET™V包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):78.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):6.5毫欧@10A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):12nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1500pF@25V功率-最大值:72W安装类型:表面贴装封装:8-PowerVDFN供应商器件封装:PowerFlat?(5x6)