STL7NM60N参数:MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STL7NM60NViewAllSpecifications标准包装:3,000系列:MDmesh™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):900毫欧@2.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):363pF@50V功率-最大值:68W安装类型:表面贴装封装:14-PowerFLAT?供应商器件封装:14-PowerFLAT?(5x5)