STL80N3LLH6参数:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STL80N3LLH6ViewAllSpecifications标准包装:3,000系列:STripFET™DeepGATE™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5.2毫欧@10.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1690pF@25V功率-最大值:60W安装类型:表面贴装封装:8-PowerVDFN供应商器件封装:PowerFlat?(5x6)