STL8DN6LF3参数:MOSFET N CH 60V 20A 5X6
类别:分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件: STL8DN6LF3ViewAllSpecifications标准包装:3,000系列:STripFET™III包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):30毫欧@4A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):668pF@25V功率-最大值:65W安装类型:表面贴装封装:8-PowerVDFN供应商器件封装:PowerFlat?(5x6)