STL8N65M5参数:MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STL8N65M5ViewAllSpecifications标准包装:3,000系列:Mdmesh™V包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):650V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):600毫欧@3.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):15nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):690pF@100V功率-最大值:70W安装类型:表面贴装封装:14-PowerVQFN供应商器件封装:PowerFLAT?(5x5)