STN1NK80Z参数:MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STN1NK80ZViewAllSpecifications标准包装:4,000系列:SuperMESH™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):800V电流-连续漏极(Id)(25°C时):250mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):16欧姆@500mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):7.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):160pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223