STP110N55F6参数：MOSFET N CH 55V 110A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP110N55F6ViewAllSpecifications STP110N55F6ViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：110A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.2毫欧@60A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：8350pF@25V功率-最大值：150W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
