STP11N65M5参数：MOSFET N CH 650V 9A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP11N65M5ViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：Mdmesh™V包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：480毫欧@4.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：644nC@100V功率-最大值：85W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
