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STP11NB40

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4702
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1350
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2023+
75
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相关型号： STP11N65M5 STP11N52K3 STP110N55F6 STP110N10F7 STP10P6F6 STP10NM65N

STP11N52K3
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STP11N52K3参数：MOSFET N-CH 525V 10A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP11N52K3ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：SuperMESH3™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：525V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：510毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：51nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@50V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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