STP12N65M5参数:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STP12N65M5ViewAllSpecifications产品培训模块: 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology标准包装:50系列:MDmesh™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):650V电流-连续漏极(Id)(25°C时):8.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):430毫欧@4.3A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):22nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):900pF@100V功率-最大值:70W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB工具箱:497-8012-KIT-ND-KITMOSFETMDMESH